GaN-on-Si for vertical power devices - 准垂直结构器件用 Si 衬底厚膜外延片 - GaN 基电子材料 - 产品中心 - 北京中博芯半导体科技有限公司

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GaN-on-Si for vertical power devices 规格书下载

适用于准垂直结构SBD

尺寸 4-6英寸

厚度>5μm

μ＞800 cm2/Vs

Details of GaN-on-Si for vertical power devices

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