EN

中博芯

产品和服务中心

GaN 基电子材料

外延生长和器件 微加工代工服务
准垂直结构器件用 Si 衬底厚膜外延片 对比选型>
GaN-on-Si for vertical power devices

适用于准垂直结构SBD

尺寸 4-6英寸厚度>5μmμ＞800 cm2/Vs
功率器件用 Si 衬底外延片 对比选型>
GaN-on-Si for power devices

高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备

尺寸 4、6、8英寸耐压 650V方阻 350 ohm/sq
关于我们
公司介绍
联系我们
招贤纳士
产品中心
GaN 基电子材料
外延生长和器件 微加工代工服务
新闻中心
公司新闻
媒体报道
公告栏
行业资讯

 010-80490330

E-mail：sales@semigan.com

地址： 北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区（顺创）

微信公众号

Copyright © 北京中博芯半导体科技有限公司     备案号：京ICP备2021006150号-1